TSM1N45CT

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TSM1N45CT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 3.7 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 450 V

漏源击穿电压 450 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买TSM1N45CT
型号: TSM1N45CT
制造商: Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述:TAIWAN SEMICONDUCTOR  TSM1N45CT  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.7 ohm, 10 V, 3 V
替代型号TSM1N45CT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TSM1N45CT

Taiwan Semiconductor 台湾半导体

当前型号

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STQ1HNK60R-AP

意法半导体

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TSM1N45CT和STQ1HNK60R-AP的区别

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