TSM1N50CT

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TSM1N50CT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 4.6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 625 mW

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 0.5A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92

外形尺寸

封装 TO-92

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: TSM1N50CT
制造商: Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述:TAIWAN SEMICONDUCTOR  TSM1N50CT  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 500 V, 4.6 ohm, 10 V, 2 V

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