TSM2314CX概述
TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2314CX 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 850 mV
The is a N-channel MOSFET with advanced Trench process technology and ±12V gate source voltage.
- .
- High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance
贸泽:
MOSFET 20V N channel MOSFET
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Newark:
# TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2314CX MOSFET Transistor, N Channel, 4.9 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 850 mV
TSM2314CX中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.027 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 850 mV
漏源极电压Vds 20 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 音频, Audio, Signal Processing, 信号处理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买TSM2314CX
型号： TSM2314CX
制造商：
Taiwan Semiconductor
台湾半导体
描述：TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2314CX 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 20 V, 0.027 ohm, 4.5 V, 850 mV