TSM2302CX概述
TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2302CX 晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 2.4 A, 20 V, 65 mohm, 4.5 V, 450 mV
The is a 20V N-channel Power MOSFET with high density cell design for ultra low on-resistance and advance Trench process technology.
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- ±8V Gate-source voltage
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- 1.6A Continuous source current
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- 75°C/W Junction-to-case thermal resistance
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- 145°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
TSM2302CX中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.5 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.065 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 mW
阈值电压 450 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 2.40 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买TSM2302CX
型号： TSM2302CX
制造商：
Taiwan Semiconductor
台湾半导体
描述：TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2302CX 晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 2.4 A, 20 V, 65 mohm, 4.5 V, 450 mV