TSM3424CX6

TSM3424CX6图片1
TSM3424CX6图片2
TSM3424CX6图片3
TSM3424CX6图片4
TSM3424CX6概述

TAIWAN SEMICONDUCTOR  TSM3424CX6  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.4 V

The is a N-channel MOSFET offers 30V drain source voltage and 6.7A continuous drain current. It is suitable for use in load and PA switch applications.

.
Advance Trench process technology
.
High density cell design for ultra-low ON-resistance
.
-55 to 150°C Operating junction temperature range
TSM3424CX6中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.023 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.7A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 SOT-26

外形尺寸

封装 SOT-26

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买TSM3424CX6
型号: TSM3424CX6
制造商: Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述:TAIWAN SEMICONDUCTOR  TSM3424CX6  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.4 V
替代型号TSM3424CX6
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TSM3424CX6

Taiwan Semiconductor 台湾半导体

当前型号

当前型号

SI3424BDV-T1-E3

威世

功能相似

TSM3424CX6和SI3424BDV-T1-E3的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司