TSM2313CX概述
TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2313CX 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.3 A, -20 V, 0.055 ohm, -4.5 V, -600 mV
The is a P-channel MOSFET offers -20V drain source voltage and -3.3A continuous drain current. It is suitable for use in load and PA switch applications.
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- Advance Trench process technology
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- High density cell design for ultra-low ON-resistance
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- -55 to 150°C Operating junction temperature range
TSM2313CX中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.3 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.055 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 3.3A
上升时间 35 ns
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买TSM2313CX
型号： TSM2313CX
制造商：
Taiwan Semiconductor
台湾半导体
描述：TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2313CX 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.3 A, -20 V, 0.055 ohm, -4.5 V, -600 mV