TC4426EOA713

TC4426EOA713图片1
TC4426EOA713图片2
TC4426EOA713图片3
TC4426EOA713图片4
TC4426EOA713图片5
TC4426EOA713图片6
TC4426EOA713图片7
TC4426EOA713图片8
TC4426EOA713图片9
TC4426EOA713图片10
TC4426EOA713图片11
TC4426EOA713图片12
TC4426EOA713图片13
TC4426EOA713概述

TC4426系列 1.5A 18V最高电压 7Ohm 双通道 反相 MOSFET驱动器-SOIC-8

低端 栅极驱动器 IC 反相 8-SOIC


得捷:
IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC


立创商城:
低边 MOSFET 灌:1.5A 拉:1.5A


贸泽:
门驱动器 1.5A Dual MOSFET Dr Invert E Temp SOIC8


艾睿:
Sleep easy by implementing this TC4426EOA713 power driver by Microchip Technology. This device has a maximum propagation delay time of 50 ns and a maximum power dissipation of 470 mW. Its maximum power dissipation is 470 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This gate driver has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 85 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 18 V.


Allied Electronics:
1.5A Dual MOSFET Drvr8 SOIC 3.90mm.150in T/R


安富利:
MOSFET DRVR 1.5A 2-OUT Lo Side Inv 8-Pin SOIC N T/R


Chip1Stop:
Driver 1.5A 2-OUT Lo Side Inv 8-Pin SOIC N T/R


Verical:
Driver 1.5A 2-OUT Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R


儒卓力:
**2xMOSFETDr 1.5A 18V I SO-8 SMD **


TC4426EOA713中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.50V min

上升/下降时间 19 ns

输出接口数 2

输出电流 1.5 A

供电电流 4.50 mA

耗散功率 470 mW

上升时间 19 ns

下降时间 19 ns

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 30 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 470 mW

电源电压 4.5V ~ 18V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

TC4426EOA713引脚图与封装图
TC4426EOA713引脚图
TC4426EOA713封装图
TC4426EOA713封装焊盘图
在线购买TC4426EOA713
型号: TC4426EOA713
制造商: Microchip 微芯
描述:TC4426系列 1.5A 18V最高电压 7Ohm 双通道 反相 MOSFET驱动器-SOIC-8
替代型号TC4426EOA713
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TC4426EOA713

Microchip 微芯

当前型号

当前型号

TC4426EOA

微芯

类似代替

TC4426EOA713和TC4426EOA的区别

TC4426AEOA713

微芯

类似代替

TC4426EOA713和TC4426AEOA713的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台