TC426/427/428 MOSFET 驱动器Microchip TC426、TC427 和 TC428 设备是双低侧 MOSFET 驱动器。### 特点高速切换 CL = 1000 pF：30 ns 高峰值输出电流：1.5A 高输出电压摆幅：VDD -25 mV，GND +25 mV 低输入电流（逻辑0或1）：1 μA 与 TTL/CMOS 输入兼容 配置：TC426 - 反相，TC427 - 同相，TC428 - 反相/同相 工作电源电压：4.5V 至 18V 电流消耗：输入低 0.4 mA，输入高 8 mA 单电源操作 低输出阻抗：6 Ω 防闩锁：耐受 >500 mA 反向电流 ESD 保护：2 kV ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Microchip
TC426/427/428 MOSFET 驱动器
TC426、TC427 和 TC428 设备是双低侧 MOSFET 驱动器。
### 特点
高速切换 CL = 1000 pF：30 ns
高峰值输出电流：1.5A
高输出电压摆幅：VDD -25 mV，GND +25 mV
低输入电流（逻辑0或1）：1 μA
与 TTL/CMOS 输入兼容
配置：TC426 - 反相，TC427 - 同相，TC428 - 反相/同相
工作电源电压：4.5V 至 18V
电流消耗：输入低 0.4 mA，输入高 8 mA
单电源操作
低输出阻抗：6 Ω
防闩锁：耐受 >500 mA 反向电流
ESD 保护：2 kV
### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Microchip
电源电压DC 4.50V min
工作电压 4.5V ~ 18V
上升/下降时间 30 ns
输出接口数 2
输出电流 1.5 A
供电电流 8.00 mA
通道数 2
耗散功率 470 mW
下降时间Max 30 ns
上升时间Max 30 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 470 mW
电源电压 4.5V ~ 18V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.42 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TC427EOA Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
TC427EOA713 微芯 | 完全替代 | TC427EOA和TC427EOA713的区别 |
TC426EOA713 微芯 | 完全替代 | TC427EOA和TC426EOA713的区别 |
TC427COA 微芯 | 类似代替 | TC427EOA和TC427COA的区别 |