TEXAS INSTRUMENTS TPS1120D 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 1.17 A, -15 V, 0.18 ohm, -10 V, -1.25 V
P 通道 MOSFET,Texas Instruments
### MOSFET ,Texas Instruments
立创商城:
TPS1120D
德州仪器TI:
Dual P-channel Enhancemenent-Mode MOSFET
欧时:
Texas Instruments 双 Si P沟道 MOSFET TPS1120D, 1.17 A, Vds=15 V, 8引脚 SOIC封装
得捷:
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
贸泽:
MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, P沟道, 15 V, 1.17 A, 0.18 ohm, SOIC, 表面安装
艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The TPS1120D power MOSFET from Texas Instruments provides the solution. Its maximum power dissipation is 840 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 125 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET P-CH 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube
Newark:
Dual MOSFET, Dual P Channel, 1.17 A, -15 V, 0.18 ohm, -10 V, -1.25 V
力源芯城:
双路P沟道增强方式MOSFET
额定电压DC -15.0 V
额定电流 -1.70 A
输出电压 -15.0 V
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.18 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 840 mW
阈值电压 1.25 V
漏源极电压Vds 15 V
漏源击穿电压 15 V
连续漏极电流Ids 1.17 A
上升时间 10 ns
输出电流Max 1.7 A
额定功率Max 840 mW
下降时间 2 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 840 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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