TPC6006-HTE85L,F

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TPC6006-HTE85L,F概述

TOSHIBA  TPC6006-HTE85L,F  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 40 V, 75 mohm, 10 V, 2.3 V

N-Channel 40V 3.9A Ta 700mW Ta Surface Mount VS-6 2.9x2.8


得捷:
MOSFET N-CH 40V 3.9A VS-6


e络盟:
TOSHIBA  TPC6006-HTE85L,F  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 40 V, 75 mohm, 10 V, 2.3 V


TPC6006-HTE85L,F中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 75 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.2 W

阈值电压 2.3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 3.90 A

输入电容Ciss 251pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 700mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TPC6006-HTE85L,F
型号: TPC6006-HTE85L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:TOSHIBA  TPC6006-HTE85L,F  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 40 V, 75 mohm, 10 V, 2.3 V

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