TPC8120概述
TOSHIBA TPC8120 晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -30 V, 0.0026 ohm, -10 V, -800 mV
The is a -30V Silicon P-channel MOSFET with low drain-source ON resistance. Suitable for use in lithium ion battery and power management switch applications.
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- High forward transfer admittance
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- Low leakage current
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- Enhancement mode
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- Small footprint due to small and thin package
TPC8120中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0026 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.9 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 18A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 7420pF @10VVds
下降时间 275 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1900 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
外形尺寸
封装 SOP-8
物理参数
材质 Silicon
其他
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买TPC8120
型号： TPC8120
制造商：
Toshiba
东芝
描述：TOSHIBA TPC8120 晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -30 V, 0.0026 ohm, -10 V, -800 mV