TLC272IDR

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TLC272IDR概述

TEXAS INSTRUMENTS  TLC272IDR  运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚

精密 LinCMOS


得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
Op Amps-Comparators


德州仪器TI:
Dual, 16-V, 2-MHz, In to V- operational amplifier


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 TLC272IDR 双, 1.7MHz增益带宽积, 5 → 15 V单电源电压, 8引脚


e络盟:
运算放大器, 2个放大器, 1.7 MHz, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚


艾睿:
Op Amp Dual Low Offset Voltage Amplifier 16V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP 16V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Standard Linear AmplifierDual Single Supply Operational Amplifier OP Amp Dual GP 16V 8-Pin SOIC T/R


TME:
Operational amplifier; 2.2MHz; 4÷16V; Channels:2; SO8


Verical:
Op Amp Dual Low Offset Voltage Amplifier 16V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 1.7 MHz, 3.6 V/µs, 4V to 16V, SOIC, 8 Pins


DeviceMart:
IC OPAMP GP 2.2MHZ DUAL 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 2.2MHZ 8SOIC


TLC272IDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤30 mA

供电电流 1.4 mA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 0.725 W

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K

带宽 1.7 MHz

转换速率 3.60 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz

输入补偿电压 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 2.2 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 65 dB

电源电压 4V ~ 16V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

TLC272IDR引脚图与封装图
TLC272IDR引脚图
TLC272IDR封装图
TLC272IDR封装焊盘图
在线购买TLC272IDR
型号: TLC272IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  TLC272IDR  运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚
替代型号TLC272IDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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