TPD2E001DRST-NM

TPD2E001DRST-NM图片1
TPD2E001DRST-NM图片2
TPD2E001DRST-NM图片3
TPD2E001DRST-NM图片4
TPD2E001DRST-NM图片5
TPD2E001DRST-NM概述

低电容2通道± 15千伏ESD保护阵列高速数据接口 LOW-CAPACITANCE 2-CHANNEL ±15-kV ESD-PROTECTION ARRAY FOR HIGH-SPEED DATA INTERFACES

\- 夹子 - Ipp TVS - 表面贴装型


立创商城:
TPD2E001DRST-NM


德州仪器TI:
Dual 1.5-pF, 5.5-V, ±8-kV ESD protection diode with 1-nA max leakage & VCC pin for USB 2.0


得捷:
TVS DIODE 5.5VWM 6SON


贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 Low-Cap 2Ch +/-15kV ESD-Prot Array


艾睿:
Get protected from high voltage shocks with this diode array TPD2E001DRST-NM ESD protection device developed by Texas Instruments. This device&s;s maximum clamping voltage is 105.5 V. This ESD diode has a maximum ESD protection device voltage of ±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@HBM kV. This ESD diode has an operating temperature range of -40 °C to 85 °C. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. Its capacitance value is 1.5Typ pF. It is made in a dual configuration.


安富利:
ESD Suppressor Diode Arrays ±15KV 6-Pin WSON EP T/R


Chip1Stop:
ESD Suppressor Diode Arrays 15KV 6-Pin WSON EP T/R


Verical:
ESD Suppressor Diode Diode Array Uni-Dir 5.5V 6-Pin WSON EP T/R


TPD2E001DRST-NM中文资料参数规格
技术参数

工作电压 5.5 V

电容 1.50 pF

击穿电压 11 V

通道数 2

钳位电压 105.5 V

最小反向击穿电压 11 V

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WSON-6

外形尺寸

高度 0.75 mm

封装 WSON-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 以太网

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

TPD2E001DRST-NM引脚图与封装图
TPD2E001DRST-NM引脚图
TPD2E001DRST-NM封装图
TPD2E001DRST-NM封装焊盘图
在线购买TPD2E001DRST-NM
型号: TPD2E001DRST-NM
制造商: TI 德州仪器
描述:低电容2通道± 15千伏ESD保护阵列高速数据接口 LOW-CAPACITANCE 2-CHANNEL ±15-kV ESD-PROTECTION ARRAY FOR HIGH-SPEED DATA INTERFACES

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台