TC58NYG2S0HBAI6

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TC58NYG2S0HBAI6中文资料参数规格
技术参数

供电电流 30 mA

位数 8

存取时间 25 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

电源电压Max 1.95 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 67

封装 VFBGA-67

外形尺寸

封装 VFBGA-67

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买TC58NYG2S0HBAI6
型号: TC58NYG2S0HBAI6
制造商: Toshiba 东芝
描述:NAND Flash Serial 1.8V 4G-bit 512M x 8 67Pin VFBGA

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