TFSQ0402C0H1C2R0WT参数规格_中文资料_数据手册PDF

TFSQ0402C0H1C2R0WT概述

基于硅的射频电容器/薄膜电容器 01005 2.0pF 16volts C0H +/-0.05pF

薄膜器 01005（0402 公制）

得捷:
CAP THIN FILM 2PF 16V 01005

贸泽:
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 01005 2.0pF 16volts C0H +/-0.05pF

TFSQ0402C0H1C2R0WT中文资料参数规格

技术参数

电容 2.0 pF

容差 ±0.05 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 16 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 0402

外形尺寸

长度 0.4 mm

宽度 0.2 mm

高度 0.2 mm

封装 0402

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TFSQ0402C0H1C2R0WT引脚图与封装图

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型号： TFSQ0402C0H1C2R0WT

描述：基于硅的射频电容器/薄膜电容器 01005 2.0pF 16volts C0H +/-0.05pF