TIP110G

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TIP110G概述

塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

Compared to other transistors, the NPN Darlington transistor from can provide you with a higher current gain value. This product"s maximum continuous DC collector current is 2 A, while its minimum DC current gain is 1000@1A@4 V|500@2A@4V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 2.5@8mA@2A V. This Darlington transistor array"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This product comes in rail packaging to keep individual parts separated and protected. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This Darlington transistor array has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.

TIP110G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 2.00 A

输出电压 60 V

输出电流 2 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 50 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

热阻 62.5℃/W RθJA

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 1000 @1A, 4V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

输入电压 5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.83 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: TIP110G
描述:塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
替代型号TIP110G
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