ON SEMICONDUCTOR TIP112G 达林顿双极晶体管
NPN 复合,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
立创商城:
TIP112G
得捷:
TRANS NPN DARL 100V 2A TO220
欧时:
ON Semiconductor TIP112G NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=500, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
e络盟:
达林顿双极晶体管
艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Allied Electronics:
ON Semi TIP112G NPN Darlington Transistor; 2 A 100 V HFE:500; 3-Pin TO-220
安富利:
Trans Darlington NPN 100V 2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 100V 2A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 2W; TO220AB
Verical:
Trans Darlington NPN 100V 2A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR TIP112G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 100 V, 50 W, 2 A, 1000 hFE
Win Source:
TRANS NPN DARL 100V 2A TO220AB
额定电压DC 100 V
额定电流 2.00 A
输出电压 100 V
输出电流 2 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 50 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
热阻 62.5℃/W RθJA
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 1000 @1A, 4V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
输入电压 5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.83 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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TIP112G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
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