TIP112G

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TIP112G概述

ON SEMICONDUCTOR  TIP112G  达林顿双极晶体管

NPN 复合,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


立创商城:
TIP112G


得捷:
TRANS NPN DARL 100V 2A TO220


欧时:
ON Semiconductor TIP112G NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=500, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN


e络盟:
达林顿双极晶体管


艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 2A 2000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Allied Electronics:
ON Semi TIP112G NPN Darlington Transistor; 2 A 100 V HFE:500; 3-Pin TO-220


安富利:
Trans Darlington NPN 100V 2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 100V 2A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 2W; TO220AB


Verical:
Trans Darlington NPN 100V 2A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  TIP112G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 100 V, 50 W, 2 A, 1000 hFE


Win Source:
TRANS NPN DARL 100V 2A TO220AB


TIP112G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 2.00 A

输出电压 100 V

输出电流 2 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 50 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

热阻 62.5℃/W RθJA

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 1000 @1A, 4V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

输入电压 5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.83 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TIP112G
型号: TIP112G
描述:ON SEMICONDUCTOR  TIP112G  达林顿双极晶体管
替代型号TIP112G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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