TIP102G

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TIP102G概述

ON SEMICONDUCTOR  TIP102G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 2 W, 8 A, 20 hFE

NPN 复合,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


立创商城:
8.0 A,100 V,NPN 达林顿双极功率晶体管


得捷:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220


欧时:
ON Semiconductor TIP102G NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 TO-220AB封装


贸泽:
达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power NPN


e络盟:
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, 200 hFE


艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 8A 2000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Allied Electronics:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 100V 8A 2000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 2W; TO220AB


Verical:
Trans Darlington NPN 100V 8A 2000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, 20000 hFE


Win Source:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB


TIP102G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 8.00 A

输出电压 100 V

输出电流 8 A

针脚数 3

输入电流 1 A

极性 NPN

耗散功率 80 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

热阻 62.5℃/W RθJA

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 200

最大电流放大倍数hFE 20000

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

输入电压 2.8 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.28 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Power Management, Industrial, Industrial, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

TIP102G引脚图与封装图
TIP102G引脚图
TIP102G封装图
TIP102G封装焊盘图
在线购买TIP102G
型号: TIP102G
描述:ON SEMICONDUCTOR  TIP102G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 2 W, 8 A, 20 hFE
替代型号TIP102G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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