TN0200T

TN0200T中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V

最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage 8V

最大漏极电流Id Drain Current 730mA/0.73A

源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.4Ω/Ohm @600mA,4.5V

开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.5

耗散功率Pd Power Dissipation 350mW/0.35W

数据手册

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型号: TN0200T
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:MOS场效应管/TN0200T

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