TIS75_J35Z

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TIS75_J35Z中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 60 Ω

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 18pF @10VVgs

额定功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TIS75_J35Z
型号: TIS75_J35Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:JFET N-CH 30V 0.35W TO92

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