TIS75概述
N沟道通用放大器 N-Channel General Purpose Amplifier
N-Channel General Purpose Amplifier
• This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers.
• Sourced from process 54.
艾睿:
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bulk
TIS75中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 20.0 mA
击穿电压 -30.0 V
漏源极电阻 60 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 30.0 V
栅源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 mA
输出功率 350 mW
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 18pF @10VVgs
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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