TL061CDR

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TL061CDR概述

JFET输入OP

JFET 输入,TL060 系列

Texas Instruments TL060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,可提供出色的性能,其功耗与 TL080 系列相比显著降低。


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 TL061CDR, 1MHz增益带宽积, 8引脚 SOIC封装


得捷:
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TL061CDR


德州仪器TI:
Single, 30-V, 1-MHz, In to V+, JFET-input operational amplifier


艾睿:
Commonly used in nearly all electronics today, this general purpose amplifier TL061CDR OP amp from Texas Instruments produces a large amount of gain. Its typical dual supply voltage is ±5|±9|±12|±15 V, with a minimum of ±3.5 V and maximum of ±18 V. This op amp has a temperature range of 0 °C to 70 °C. This device utilizes bifet technology. It has a single channel per chip. This device uses dual power supplies.


安富利:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Standard Linear AmplifierLow-Power JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Single Low Power Amplifier ±18V 8-Pin SOIC T/R


力源芯城:
低功耗JFET输入OP


DeviceMart:
IC OPAMP JFET 1MHZ SGL 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP JFET 1MHZ 8SOIC


TL061CDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 200 µA

电路数 1

通道数 1

共模抑制比 70 dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K

带宽 1.00 MHz

转换速率 3.50 V/μs

增益频宽积 1 MHz

输入补偿电压 3 mV

输入偏置电流 30 pA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 1 MHz

共模抑制比Min 70 dB

电源电压 7V ~ 36V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TL061CDR引脚图与封装图
TL061CDR引脚图
TL061CDR封装图
TL061CDR封装焊盘图
在线购买TL061CDR
型号: TL061CDR
制造商: TI 德州仪器
描述:JFET输入OP
替代型号TL061CDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TL061CDR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

TL061CD

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TL061CDR和TL061CD的区别

TL061ACD

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TL061CDR和TL061ACD的区别

TL061ID

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TL061CDR和TL061ID的区别

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