TLC27M2IDR

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TLC27M2IDR概述

?????????路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS

CMOS 放大器 电路 - 8-SOIC


得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC


德州仪器TI:
Dual, 16-V, 525-kHz, In to V- operational amplifier


艾睿:
The large amount of gain, or amplification, produced by this general purpose amplifier TLC27M2IDR OP amp from Texas Instruments make it a commonly used component in nearly all electronics today. Its maximum power dissipation is 725 mW. This op amp has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 85 °C. It has 2 channels per chip. This device uses a single power supply. This device is made with linCMOS technology.


安富利:
OP Amp Dual GP 16V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Precision Amplifier 16V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TLC27M2IDR  Operational Amplifier, Dual, 525 kHz, 2 Amplifier, 0.43 V/µs, 4V to 16V, SOIC, 8 Pins


DeviceMart:
IC OPAMP GP 635KHZ DUAL 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 635KHZ 8SOIC


TLC27M2IDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤30 mA

供电电流 285 µA

电路数 2

通道数 2

耗散功率 0.725 W

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 1.70 µV/K

带宽 525 kHz

转换速率 460 mV/μs

增益频宽积 0.525 MHz

输入补偿电压 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 635 kHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 65 dB

电源电压 4V ~ 16V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

TLC27M2IDR引脚图与封装图
TLC27M2IDR引脚图
TLC27M2IDR封装图
TLC27M2IDR封装焊盘图
在线购买TLC27M2IDR
型号: TLC27M2IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:?????????路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
替代型号TLC27M2IDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TLC27M2IDR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

TLC27M2ID

德州仪器

完全替代

TLC27M2IDR和TLC27M2ID的区别

TLC272IDR

德州仪器

类似代替

TLC27M2IDR和TLC272IDR的区别

TLC271CDR

德州仪器

类似代替

TLC27M2IDR和TLC271CDR的区别

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