TLC27L4CDR

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TLC27L4CDR概述

LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments

低功率 LinCMOS


得捷:
IC CMOS 4 CIRCUIT 14SOIC


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 TLC27L4CDR 四路 精确, 85kHz增益带宽积, 5 → 15 V单电源电压


立创商城:
TLC27L4CDR


德州仪器TI:
Quad, 16-V, 85-kHz, low power 10-μA/ch, In to V- operational amplifier


贸泽:
精密放大器 Quad Prec Micropwr


e络盟:
运算放大器, 4个放大器, 85 kHz, 0.03 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 14 引脚


艾睿:
Op Amp Quad Precision Amplifier 16V 14-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Quad GP 16V 14-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Low PowerQuad Precision Single Supply uPower Operational Amplifier OP Amp Quad GP 16V 14-Pin SOIC T/R


TME:
Operational amplifier; 70÷130kHz; 3÷16V; Channels:4; SO14


Verical:
Op Amp Quad Precision Amplifier 16V 14-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TLC27L4CDR  Operational Amplifier, Quad, 4 Amplifier, 85 kHz, 0.03 V/µs, 3V to 16V, SOIC, 14 Pins


力源芯城:
微功耗,单电源CMOS,通用运放


Win Source:
IC OPAMP GP 110KHZ 14SOIC


DeviceMart:
IC OPAMP GP 110KHZ QUAD 14SOIC


TLC27L4CDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤30 mA

供电电流 57 µA

电路数 4

通道数 4

针脚数 14

耗散功率 950 mW

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K

带宽 85 kHz

转换速率 30.0 mV/μs

增益频宽积 110 kHz

输入补偿电压 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 0.085 MHz

耗散功率Max 950 mW

共模抑制比Min 65 dB

电源电压 3V ~ 16V

电源电压Max 16 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 SOIC-14

外形尺寸

长度 8.65 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-14

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

TLC27L4CDR引脚图与封装图
TLC27L4CDR引脚图
TLC27L4CDR封装图
TLC27L4CDR封装焊盘图
在线购买TLC27L4CDR
型号: TLC27L4CDR
制造商: TI 德州仪器
描述:LinCMOS 运算放大器 ### 运算放大器,Texas Instruments
替代型号TLC27L4CDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TLC27L4CDR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

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德州仪器

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