TLC27L4BIDR

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TLC27L4BIDR概述

精密放大器 LinCMOS Precision Quad Op Amp

CMOS 放大器 电路 - 14-SOIC


得捷:
IC CMOS 4 CIRCUIT 14SOIC


立创商城:
TLC27L4BIDR


德州仪器TI:
Quad, 16-V, 85-kHz, low power 10-μA/ch, 2-mV offset voltage, In to V- operational amplifier


贸泽:
精密放大器 LinCMOS Precision Quad Op Amp


艾睿:
This general purpose amplifier TLC27L4BIDR OP amp from Texas Instruments takes a differential voltage input and outputs an amplified voltage signal. Its maximum power dissipation is 950 mW. This op amp has a temperature range of -40 °C to 85 °C. This device utilizes linCMOS technology. This device uses a single power supply. It has 4 channels per chip.


安富利:
OP Amp Quad GP 16V 14-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Low PowerLinCMOSTM Precision Quad Operational Amplifier OP Amp Quad GP 16V 14-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Quad Precision Amplifier 16V 14-Pin SOIC T/R


Win Source:
IC OPAMP GP 110KHZ 14SOIC


TLC27L4BIDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤30 mA

供电电流 57 µA

电路数 4

通道数 4

耗散功率 950 mW

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K

带宽 85.0 kHz

转换速率 30.0 mV/μs

增益频宽积 110 kHz

输入补偿电压 260 µV

输入偏置电流 0.7 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 0.085 MHz

耗散功率Max 950 mW

共模抑制比Min 65 dB

电源电压 3V ~ 16V

电源电压Max 16 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 SOIC-14

外形尺寸

长度 8.65 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-14

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TLC27L4BIDR引脚图与封装图
TLC27L4BIDR引脚图
TLC27L4BIDR封装图
TLC27L4BIDR封装焊盘图
在线购买TLC27L4BIDR
型号: TLC27L4BIDR
制造商: TI 德州仪器
描述:精密放大器 LinCMOS Precision Quad Op Amp
替代型号TLC27L4BIDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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