TLV2372IDR

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TLV2372IDR概述

CMOS 运算放大器,LMV/TLV 系列### 运算放大器,Texas Instruments

低电压 CMOS ,LMV/TLV 系列


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 TLV2372IDR 双 精确, 3MHz增益带宽积, 3 → 15 V单电源电压, 8引脚


立创商城:
TLV2372IDR


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


德州仪器TI:
Dual, 16-V, 3-MHz, RRIO operational amplifier


贸泽:
运算放大器 - 运放 Dual 3MHz R-R Op Amp


艾睿:
OP Amp Dual GP R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Low Power550-uA/Channel 3-MHz RRIO Op Amp Op Amp Dual GP R-R I/O ツア8V/16V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
OP Amp Dual GP R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R


力源芯城:
带关断的550-μA/Ch 3-MHz轨对轨输入/输出运放


DeviceMart:
IC OPAMP GP R-R 3MHZ DUAL 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 3MHZ RRO 8SOIC


TLV2372IDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 8mA @5V

供电电流 750 µA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 710 mW

共模抑制比 55 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K

带宽 2.4 MHz

转换速率 2.40 V/μs

增益频宽积 3 MHz

输入补偿电压 2 mV

输入偏置电流 1 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 3 MHz

耗散功率Max 710 mW

共模抑制比Min 55 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

TLV2372IDR引脚图与封装图
TLV2372IDR引脚图
TLV2372IDR封装图
TLV2372IDR封装焊盘图
在线购买TLV2372IDR
型号: TLV2372IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:CMOS 运算放大器,LMV/TLV 系列 ### 运算放大器,Texas Instruments
替代型号TLV2372IDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TLV2372IDR

TI 德州仪器

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