TLV2382IDR

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TLV2382IDR概述

TEXAS INSTRUMENTS  TLV2382IDR  芯片, 运算放大器, 160KHz, 0.06V/uS, SOIC-8

通用 放大器 2 电路 满摆幅 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLV2382IDR


德州仪器TI:
Dual, 16-V, 160-kHz, RRIO operational amplifier


贸泽:
Operational Amplifiers - Op Amps 10-uA/Ch 160kHz RRIO Dual Op Amp


e络盟:
芯片, 运算放大器, 160KHZ, 0.06V/uS, SOIC-8


艾睿:
Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
OP Amp Dual GP R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TLV2382IDR  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 160 kHz, 0.06 V/µs, ± 1.35V to ± 8V, SOIC, 8 Pins


力源芯城:
轨对轨输入输出运算放大器


DeviceMart:
IC OPAMP GP R-R 160KHZ 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 160KHZ RRO 8SOIC


TLV2382IDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 7 µA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 710 mW

共模抑制比 58dB ~ 74dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K

带宽 160 kHz

转换速率 60.0 mV/μs

增益频宽积 160 kHz

输入补偿电压 500 µV

输入偏置电流 1 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 0.16 MHz

耗散功率Max 710 mW

共模抑制比Min 58 dB

电源电压Max 16 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

TLV2382IDR引脚图与封装图
TLV2382IDR引脚图
TLV2382IDR封装图
TLV2382IDR封装焊盘图
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型号: TLV2382IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  TLV2382IDR  芯片, 运算放大器, 160KHz, 0.06V/uS, SOIC-8
替代型号TLV2382IDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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