TEXAS INSTRUMENTS TLV2382IDR 芯片, 运算放大器, 160KHz, 0.06V/uS, SOIC-8
通用 放大器 2 电路 满摆幅 8-SOIC
得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
立创商城:
TLV2382IDR
德州仪器TI:
Dual, 16-V, 160-kHz, RRIO operational amplifier
贸泽:
Operational Amplifiers - Op Amps 10-uA/Ch 160kHz RRIO Dual Op Amp
e络盟:
芯片, 运算放大器, 160KHZ, 0.06V/uS, SOIC-8
艾睿:
Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R
安富利:
OP Amp Dual GP R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R
Chip1Stop:
OP Amp Dual GP R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R
Verical:
Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS TLV2382IDR Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 160 kHz, 0.06 V/µs, ± 1.35V to ± 8V, SOIC, 8 Pins
力源芯城:
轨对轨输入输出运算放大器
DeviceMart:
IC OPAMP GP R-R 160KHZ 8SOIC
Win Source:
IC OPAMP GP 160KHZ RRO 8SOIC
供电电流 7 µA
电路数 2
通道数 2
针脚数 8
耗散功率 710 mW
共模抑制比 58dB ~ 74dB
输入补偿漂移 1.10 µV/K
带宽 160 kHz
转换速率 60.0 mV/μs
增益频宽积 160 kHz
输入补偿电压 500 µV
输入偏置电流 1 pA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
增益带宽 0.16 MHz
耗散功率Max 710 mW
共模抑制比Min 58 dB
电源电压Max 16 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
TLV2382IDR TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
TLV2382ID 德州仪器 | 类似代替 | TLV2382IDR和TLV2382ID的区别 |
TLV2382IDRG4 德州仪器 | 类似代替 | TLV2382IDR和TLV2382IDRG4的区别 |
TLV2382IDG4 德州仪器 | 类似代替 | TLV2382IDR和TLV2382IDG4的区别 |