TLE2064IDR

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TLE2064IDR概述

神剑JFET输入高输出驱动微功耗运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

J-FET Amplifier 4 Circuit 14-SOIC


得捷:
IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC


立创商城:
TLE2064IDR


德州仪器TI:
Quad, 36-V, 2-MHz, In to V+, JFET-input operational amplifier


贸泽:
运算放大器 - 运放 Quad JFET-Input Hi-Out-Drive uPower


艾睿:
With this general purpose amplifier TLE2064IDR OP amp from Texas Instruments you will be able to amplify the difference between two voltages in no time. Its typical dual supply voltage is ±5|±9|±12|±15 V, with a minimum of ±3.5 V and maximum of ±18 V. This op amp has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 85 °C. It has 4 channels per chip. This device is made with bifet technology. This device uses dual power supplies.


安富利:
OP Amp Quad GP ±18V 14-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
High Output CurrentQuad JFET-Input High-Output-Drive uPower Operational Amplifier OP Amp Quad GP 18V 14-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Quad High Output Current Amplifier ±18V 14-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TLE2064IDR  Operational Amplifier, Quad, 4 Amplifier, 1.8 MHz, 3.4 V/µs, ± 3.5V to ± 18V, SOIC, 14 Pins


Win Source:
IC OPAMP JFET 2MHZ 14SOIC


TLE2064IDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤80 mA

供电电流 1.25 mA

电路数 4

通道数 4

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K

带宽 1.8 MHz

转换速率 3.40 V/μs

增益频宽积 2 MHz

输入补偿电压 900 µV

输入偏置电流 4 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 2 MHz

共模抑制比Min 65 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 SOIC-14

外形尺寸

长度 8.65 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-14

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

TLE2064IDR引脚图与封装图
TLE2064IDR引脚图
TLE2064IDR封装图
TLE2064IDR封装焊盘图
在线购买TLE2064IDR
型号: TLE2064IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:神剑JFET输入高输出驱动微功耗运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS
替代型号TLE2064IDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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TI 德州仪器

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