TLV272IDR

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TLV272IDR概述

BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments

低电压 BiMOS/BiCMOS ,TLV/LMV 系列


立创商城:
TLV272IDR


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


德州仪器TI:
Dual, 16-V, 3-MHz operational amplifier


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 TLV272IDR 双 精确, 3MHz增益带宽积, 5 V单电源电压, 8引脚 SOIC封装


e络盟:
运算放大器, RRO, 2个放大器, 3 MHz, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚


艾睿:
Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R O/P ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Low Power550-uA/Ch 3-MHz Rail-to-Rail Output Operational Amplifier Op Amp Dual GP R-R O/P ツア8V/16V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R O/P ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TLV272IDR  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 3 MHz, 2.4 V/µs, ± 1.35V to ± 8V, SOIC, 8 Pins


DeviceMart:
IC OPAMP GP R-R 3MHZ DUAL 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 3MHZ RRO 8SOIC


TLV272IDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 7mA @5V

供电电流 625 µA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 0.396 W

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K

带宽 3 MHz

转换速率 2.10 V/μs

增益频宽积 3 MHz

过温保护 No

输入补偿电压 500 µV

输入偏置电流 1 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 3 MHz

耗散功率Max 396 mW

共模抑制比Min 65 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

TLV272IDR引脚图与封装图
TLV272IDR引脚图
TLV272IDR封装图
TLV272IDR封装焊盘图
在线购买TLV272IDR
型号: TLV272IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列 ### 运算放大器,Texas Instruments
替代型号TLV272IDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TLV272IDR

TI 德州仪器

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TLV271ID

德州仪器

类似代替

TLV272IDR和TLV271ID的区别

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