TL081IDT

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TL081IDT概述

TL081 系列 36 V 4 MHz 通用 JFET 单 运算放大器-SOIC-8

J-FET 放大器 1 电路 - 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TL081IDT


e络盟:
运算放大器, 1个放大器, 4 MHz, 16 V/µs, 6V 至 36V, ± 3V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚


艾睿:
Increase functionality to your signal processing circuit with this general purpose amplifier TL081IDT OP amp from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 680 mW. Its typical dual supply voltage is ±5|±9|±12|±15 V, with a minimum of ±3 V and maximum of ±18 V. This op amp has a temperature range of -40 °C to 105 °C. It has a single channel per chip. This device utilizes bifet technology. This device uses dual power supplies.


安富利:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SO N T/R


富昌:
TL081 系列 36 V 4 MHz 通用 JFET 单 运算放大器-SOIC-8


Verical:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SO N T/R


儒卓力:
**1xOP 4MHz 16V/µs SO8 _SMD **


DeviceMart:
IC AMP J-FET SINGLE OP 8 SOIC


Win Source:
IC OPAMP JFET 4MHZ 8SO


TL081IDT中文资料参数规格
技术参数

输出电流 40 mA

供电电流 1.4 mA

电路数 1

通道数 1

针脚数 8

耗散功率 0.68 W

共模抑制比 80 dB

带宽 4 MHz

转换速率 16.0 V/μs

增益频宽积 4 MHz

输入补偿电压 3 mV

输入偏置电流 20 pA

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 4 MHz

耗散功率Max 680 mW

共模抑制比Min 80 dB

电源电压Max 36V ~ 37V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TL081IDT
型号: TL081IDT
描述:TL081 系列 36 V 4 MHz 通用 JFET 单 运算放大器-SOIC-8
替代型号TL081IDT
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