TS1852IDT

TS1852IDT图片1
TS1852IDT图片2
TS1852IDT图片3
TS1852IDT图片4
TS1852IDT图片5
TS1852IDT图片6
TS1852IDT图片7
TS1852IDT图片8
TS1852IDT图片9
TS1852IDT概述

TS185x 系列 6 V 630 kHz 轨对轨 低功耗 运算放大器 - SOIC-8

通用 放大器 2 电路 满摆幅 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TS1852IDT


贸泽:
Operational Amplifiers - Op Amps Dual Rail-to-Rail LP


艾睿:
With this general purpose amplifier TS1852IDT OP amp from STMicroelectronics you will be able to amplify the difference between two voltages in no time. This op amp has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 125 °C. This device uses a single power supply. It has 2 channels per chip.


安富利:
OP Amp Dual GP R-R I/O 6V 8-Pin SO N T/R


富昌:
TS185x 系列 6 V 630 KHz 轨对轨 低功耗 运算放大器 - SOIC-8


Chip1Stop:
OP Amp Dual GP R-R I/O 6V 8-Pin SO N T/R


Verical:
Op Amp Dual GP R-R I/O 6V 8-Pin SO N T/R


儒卓力:
**2xOP 530kHz 0,18V/µs SO8 _SMD **


DeviceMart:
IC OPAMP DUAL R-R LP I/O 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 630KHZ RRO 8SO


TS1852IDT中文资料参数规格
技术参数

输出电流 48mA @5V

供电电流 162 µA

电路数 2

通道数 2

共模抑制比 95 dB

转换速率 180 mV/μs

增益频宽积 0.656 MHz

输入补偿电压 1 mV

输入偏置电流 16 nA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 0.656 MHz

共模抑制比Min 65 dB

电源电压 1.8V ~ 6V

电源电压Max 6 V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TS1852IDT
型号: TS1852IDT
描述:TS185x 系列 6 V 630 kHz 轨对轨 低功耗 运算放大器 - SOIC-8
替代型号TS1852IDT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TS1852IDT

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

MCP6002T-I/SN

微芯

功能相似

TS1852IDT和MCP6002T-I/SN的区别

MCP6002-I/SN

微芯

功能相似

TS1852IDT和MCP6002-I/SN的区别

MCP6L02T-E/SN

微芯

功能相似

TS1852IDT和MCP6L02T-E/SN的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司