TPC6012TE85L,F,M

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TPC6012TE85L,F,M概述

VS N-CH 20V 6A

表面贴装型 N 通道 20 V 6A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)


得捷:
MOSFET N-CH 20V 6A VS-6


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin VS T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin VS T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin VS T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin VS T/R


TPC6012TE85L,F,M中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.2 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 6A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 630pF @10VVds

下降时间 10 ns

耗散功率Max 700mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TPC6012TE85L,F,M
型号: TPC6012TE85L,F,M
制造商: Toshiba 东芝
描述:VS N-CH 20V 6A

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