TLV272ID

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TLV272ID概述

TEXAS INSTRUMENTS  TLV272ID  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚

低电压 BiMOS/BiCMOS ,TLV/LMV 系列


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLV272ID


德州仪器TI:
Dual, 16-V, 3-MHz operational amplifier


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 TLV272ID 双 精确, 3MHz增益带宽积, 5 V单电源电压, 8引脚 SOIC封装


e络盟:
运算放大器, 双路, 2个放大器, 3 MHz, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚


艾睿:
OP Amp Dual GP R-R O/P ±8V/16V 8-Pin SOIC Tube


安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P ±8V/16V 8-Pin SOIC Tube


Chip1Stop:
Low Power550-uA/Ch 3-MHz Rail-to-Rail Output Operational Amplifier OP Amp Dual GP R-R O/P ±8V/16V 8-Pin SOIC Tube


Verical:
OP Amp Dual GP R-R O/P ±8V/16V 8-Pin SOIC Tube


Newark:
Operational Amplifier, Dual, 3 MHz, 2, 2.4 V/ s, 1.35V to 8V, SOIC, 8


DeviceMart:
IC OPAMP GP R-R 3MHZ DUAL 8SOIC


TLV272ID中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 16.0 V

输出电流 7mA @5V

供电电流 625 µA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 0.396 W

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K

带宽 3 MHz

转换速率 2.10 V/μs

增益频宽积 3 MHz

过温保护 No

输入补偿电压 500 µV

输入偏置电流 1 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 3 MHz

耗散功率Max 396 mW

共模抑制比Min 65 dB

电源电压 2.7V ~ 16V

电源电压Max 16 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

数据手册

TLV272ID引脚图与封装图
TLV272ID引脚图
TLV272ID封装图
TLV272ID封装焊盘图
在线购买TLV272ID
型号: TLV272ID
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  TLV272ID  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚
替代型号TLV272ID
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TLV272ID

TI 德州仪器

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完全替代

TLV272ID和TLV272IDR的区别

TLC272AID

德州仪器

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TLC271AID

德州仪器

类似代替

TLV272ID和TLC271AID的区别

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