TSM900N06CP ROG

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TSM900N06CP ROG概述

N沟道 60V 11A

Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The power MOSFET from provides the solution. Its maximum power dissipation is 25000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

TSM900N06CP ROG中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 25 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 9.5 ns

输入电容Ciss 500 pF

下降时间 5.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: TSM900N06CP ROG
描述:N沟道 60V 11A

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