TLC081CD

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TLC081CD概述

BiMOS 运算放大器,TLC070 和 TLC080 系列### 运算放大器,Texas Instruments

BiMOS ,TLC070 和 TLC080 系列


得捷:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 TLC081CD 精确, 10MHz增益带宽积, 5 → 15 V单电源电压, 8引脚


立创商城:
TLC081CD


德州仪器TI:
Single, 16-V, 10-MHz, In to V- op amp


e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS  TLC081CD  运算放大器, 单路, 10 MHz, 1个放大器, 16 V/µs, ± 2.25V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚


艾睿:
OP Amp Single GP ±8V/16V 8-Pin SOIC Tube


安富利:
OP Amp Single GP ±8V/16V 8-Pin SOIC Tube


Chip1Stop:
Wide BandwidthSingle Wide Bandwidth High Output Drive Single Supply Op Amp OP Amp Single GP ±8V/16V 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Op Amp Single Wideband Amplifier ±8V/16V 8-Pin SOIC Tube


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TLC081CD  Operational Amplifier, Single, 1 Amplifier, 10 MHz, 16 V/µs, ± 2.25V to ± 8V, SOIC, 8 Pins


Win Source:
IC OPAMP GP 10MHZ 8SOIC


TLC081CD中文资料参数规格
技术参数

输出电流 57mA @5V

供电电流 1.9 mA

电路数 1

通道数 1

针脚数 8

耗散功率 0.71 W

共模抑制比 80 dB

输入补偿漂移 1.20 µV/K

带宽 10 MHz

转换速率 16.0 V/μs

增益频宽积 10 MHz

输入补偿电压 390 µV

输入偏置电流 2 pA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 10 MHz

耗散功率Max 710 mW

共模抑制比Min 80 dB

电源电压 4.5V ~ 16V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

TLC081CD引脚图与封装图
TLC081CD引脚图
TLC081CD封装图
TLC081CD封装焊盘图
在线购买TLC081CD
型号: TLC081CD
制造商: TI 德州仪器
描述:BiMOS 运算放大器,TLC070 和 TLC080 系列 ### 运算放大器,Texas Instruments
替代型号TLC081CD
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TLC081CD

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

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TLC081CD和TLC081IDR的区别

TLC081AID

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TLC081CDR

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