漏源极电阻 0.42 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 350 mW
上升时间 30 ns
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
引脚数 3
封装 SOT-23
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
数据手册
TP0101K-T1-GE3
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
SI2365EDS-T1-GE3
威世
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