TP0101K-T1-GE3

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TP0101K-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.42 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 350 mW

上升时间 30 ns

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买TP0101K-T1-GE3
型号: TP0101K-T1-GE3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:P通道20 -V (D -S )的MOSFET ,低门槛 P-Channel 20-V D-S MOSFET, Low-Threshold
替代型号TP0101K-T1-GE3
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Vishay Semiconductor 威世

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