TLC271CDR

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TLC271CDR概述

TEXAS INSTRUMENTS  TLC271CDR  单运算放大器

低功率 LinCMOS


得捷:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 TLC271CDR, 1.7MHz增益带宽积, 5 → 15 V单电源电压, 8引脚 SOIC封装


立创商城:
TLC271CDR


德州仪器TI:
Single, 16-V, 2-MHz, In to V- operational amplifier


贸泽:
运算放大器 - 运放 Low Pwr Programmable


e络盟:
运算放大器, 单路, 1个放大器, 1.7 MHz, 3.6 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 8 引脚


艾睿:
Op Amp Single Low Power Amplifier 16V Automotive 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Single GP 16V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Standard Linear AmplifierLinCMOSTM Programmable Low-Power Operational Amplifier OP Amp Single GP 16V 8-Pin SOIC T/R


TME:
Operational amplifier; 2.2MHz; 3÷16V; Channels:1; SO8


Verical:
Op Amp Single Low Power Amplifier 16V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
Operational Amplifier, Single, 1 Amplifier, 1.7 MHz, 3.6 V/µs, 3V to 16V, SOIC, 8 Pins


力源芯城:
可编程,低功耗运放


Win Source:
IC OPAMP GP 2.2MHZ 8SOIC


TLC271CDR中文资料参数规格
技术参数

工作电压 3V ~ 16V

供电电流 950 µA

电路数 1

通道数 1

针脚数 8

耗散功率 725 mW

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K

带宽 1.7 MHz

转换速率 3.60 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz

输入补偿电压 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 2.2 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 65 dB

电源电压 3V ~ 16V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 信号处理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

数据手册

TLC271CDR引脚图与封装图
TLC271CDR引脚图
TLC271CDR封装图
TLC271CDR封装焊盘图
在线购买TLC271CDR
型号: TLC271CDR
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  TLC271CDR  单运算放大器
替代型号TLC271CDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TLC271CDR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

TLC271CD

德州仪器

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TLC271CDR和TLC271CD的区别

TLC272IDR

德州仪器

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TLC271ID

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TLC271CDR和TLC271ID的区别

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