LinCMOS 运算放大器### 运算放大器，Texas Instruments
低功率 LinCMOS
得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
立创商城:
TLC27L2BIDR
德州仪器TI:
Dual, 16-V, 85-kHz, low power 10-μA/ch, 2-mV offset voltage, In to V- operational amplifier
欧时:
### 低功率 LinCMOS 运算放大器### 运算放大器，Texas Instruments
艾睿:
Op Amp Dual Precision Amplifier 16V 8-Pin SOIC T/R
安富利:
OP Amp Dual GP 16V 8-Pin SOIC T/R
Verical:
Op Amp Dual Precision Amplifier 16V 8-Pin SOIC T/R
力源芯城:
微功耗,单电源CMOS,通用运放
DeviceMart:
IC OPAMP GP 110KHZ DUAL 8SOIC
Win Source:
IC OPAMP GP 110KHZ 8SOIC
输出电流 ≤30 mA
供电电流 29 µA
电路数 2
通道数 2
耗散功率 0.725 W
共模抑制比 65 dB
输入补偿漂移 1.10 µV/K
带宽 85.0 kHz
转换速率 30.0 mV/μs
增益频宽积 110 kHz
输入补偿电压 235 µV
输入偏置电流 0.7 pA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
增益带宽 110 kHz
耗散功率Max 725 mW
共模抑制比Min 65 dB
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TLC27L2BIDR TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
TLC27L2BID 德州仪器 | 完全替代 | TLC27L2BIDR和TLC27L2BID的区别 |
TLC27M2ACD 德州仪器 | 类似代替 | TLC27L2BIDR和TLC27M2ACD的区别 |
TLC271ACDR 德州仪器 | 类似代替 | TLC27L2BIDR和TLC271ACDR的区别 |