ON SEMICONDUCTOR TIP32BG. 射频双极晶体管
Use this versatile PNP GP BJT from to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This product comes in rail packaging to keep individual parts separated and protected. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.
频率 3 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -3.00 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
热阻 3.125℃/W RθJC
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.83 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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