Low input current 200pA, low power 200uA 35V JFET Op-Amp, single
J-FET 放大器 1 电路 - 8-SO
得捷:
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC
艾睿:
OP Amp Single GP
安富利:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SO N T/R
Chip1Stop:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SO N T/R
Win Source:
IC OPAMP JFET 1MHZ 8SO
供电电流 200 µA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 680 mW
转换速率 3.50 V/μs
增益频宽积 1 MHz
输入补偿电压 3 mV
输入偏置电流 30 pA
工作温度Max 105 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 680 mW
共模抑制比Min 80 dB
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
封装 SO-8
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
TL061ACDT ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
TL061CDR 德州仪器 | 功能相似 | TL061ACDT和TL061CDR的区别 |
TL061CD 德州仪器 | 功能相似 | TL061ACDT和TL061CD的区别 |
TL061ACD 德州仪器 | 功能相似 | TL061ACDT和TL061ACD的区别 |