TIP105

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TIP105概述

整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors

Monolithic Construction With Built In Base Emitter Shunt Resistors

• High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= -4V, IC= -3A Min.

• Collector-Emitter Sustaining Voltage

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage

• Industrial Use

• Complementary to TIP100/101/102


得捷:
TRANS PNP DARL 60V 8A TO220AB


贸泽:
Darlington Transistors PNP Epitaxial Sil Darl


艾睿:
Trans Darlington PNP 60V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Bulk


Jameco:
Transistor Darlington Pnp 60 Volt 8 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-220 Bulk


安富利:
Trans Darlington PNP 60V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Bulk


富昌:
TIP系列 PNP 80 W 60 V 8 A 外延硅 达林顿晶体管 - TO-220-3


Verical:
Trans Darlington PNP 60V 8A 2000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Bag


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  TIP105  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, -60 V, 80 W, 8 A, 20000 hFE


TIP105中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -8.00 A

极性 Dual P-Channel, P-Channel

耗散功率 80 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @3A, 4V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 20000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TIP105
型号: TIP105
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
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