TO-220AB NPN 80V 3A
Bipolar BJT Transistor NPN 80V 3A 3MHz 2W Through Hole TO-220AB
得捷:
TRANS NPN 80V 3A TO220AB
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin3+Tab TO-220AB Bulk
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin3+Tab TO-220AB Bulk
Win Source:
TRANS NPN 80V 3A TO-220AB
额定电压DC 80.0 V
额定电流 3.00 A
极性 NPN
耗散功率 2000 mW
增益频宽积 3 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.02 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
TIP31B-BP Micro Commercial Components 美微科 | 当前型号 | 当前型号 |
TIP31BG 安森美 | 功能相似 | TIP31B-BP和TIP31BG的区别 |
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