TTA003,L1NQO参数规格_中文资料_数据手册PDF

TTA003,L1NQO概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP -80V 10W 100MHz 200 hFE

Bipolar BJT Transistor PNP 80V 3A 100MHz 10W Surface Mount PW-MOLD

得捷:
TRANS PNP 80V 3A PW-MOLD

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP -80V 10W 100MHz 200 hFE

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 3A 3-Pin2+Tab New PW-Mold

TTA003,L1NQO中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V

额定功率Max 10 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TTA003,L1NQO

型号： TTA003,L1NQO

制造商： Toshiba 东芝

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP -80V 10W 100MHz 200 hFE