TPC8067-H,LQS

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TPC8067-H,LQS概述

MOSFET N-Ch 30V FET 9A 1.9W 690pF

N-Channel 30V 9A Ta 1W Ta Surface Mount 8-SOP


得捷:
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP


贸泽:
MOSFET N-Ch 30V FET 9A 1.9W 690pF


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R


TPC8067-H,LQS中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 33 mΩ

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 2.1 ns

输入电容Ciss 690pF @10VVds

下降时间 2.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.68 mm

封装 SOP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TPC8067-H,LQS
型号: TPC8067-H,LQS
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET N-Ch 30V FET 9A 1.9W 690pF

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