ON SEMICONDUCTOR TIP47G 射频双极晶体管
高电压,
### 标准
带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS NPN 250V 1A TO220
立创商城:
TIP47G
欧时:
高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 1A 250V 40W NPN
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 250 V, 10 MHz, 40 W, 1 A, 30 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 40000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Allied Electronics:
ON Semi TIP47G NPN High Voltage BipolarTransistor, 1 A, 250 V, 4-Pin TO-220AB
安富利:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Verical:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 40000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
Bipolar - RF Transistor, NPN, 250 V, 10 MHz, 40 W, 1 A, 10 hFE
Win Source:
TRANS NPN 250V 1A TO220AB
频率 10 MHz
额定电压DC 250 V
额定电流 1.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 250 V
热阻 3.125℃/W RθJC
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 10V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 40000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.83 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Audio, Power Management, 工业, 音频, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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