TIP115G

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TIP115G概述

塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

Look no further than "s PNP Darlington transistor, which can amplify the signal to provide higher current gains. This Darlington transistor array"s maximum emitter base voltage is 5 V. This product"s maximum continuous DC collector current is 2 A, while its minimum DC current gain is 1000@1A@4 V|500@2A@4V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 2.5@8mA@2A V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This product comes in rail packaging to keep individual parts separated and protected. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This Darlington transistor array has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.

TIP115G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 7.40 A

输出电压 60 V

输出电流 2 A

极性 PNP

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

热阻 62.5℃/W RθJA

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 1000 @1A, 4V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

输入电压 5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.83 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: TIP115G
描述:塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
替代型号TIP115G
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