TL081IDG4

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TL081IDG4中文资料参数规格
技术参数

供电电流 1.4 mA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 680 mW

共模抑制比 75 dB

输入补偿漂移 18.0 µV/K

带宽 3.00 MHz

转换速率 13.0 V/μs

增益频宽积 3 MHz

输入补偿电压 3 mV

输入偏置电流 30 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 680 mW

共模抑制比Min 75 dB

电源电压Max 36 V

电源电压Min 7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TL081IDG4引脚图与封装图
TL081IDG4引脚图
TL081IDG4封装图
TL081IDG4封装焊盘图
在线购买TL081IDG4
型号: TL081IDG4
制造商: TI 德州仪器
描述:运算放大器 - 运放 JFET-Input Op Amp
替代型号TL081IDG4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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TI 德州仪器

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