TLC27M2BIDR

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TLC27M2BIDR概述

?????????路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS

CMOS 放大器 电路 - 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 635KHZ 8SOIC


立创商城:
TLC27M2BIDR


德州仪器TI:
Dual, 16-V, 525-kHz, In to V-, 2-mV offset voltage operational amplifier


艾睿:
OP Amp Dual GP 16V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP 16V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Standard Linear AmplifierLinCMOSTM Precision Dual Operational Amplifier OP Amp Dual GP 16V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Precision Amplifier 16V 8-Pin SOIC T/R


Win Source:
IC OPAMP GP 635KHZ 8SOIC


TLC27M2BIDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 285 µA

电路数 2

通道数 2

耗散功率 0.725 W

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 1.70 µV/K

带宽 525 kHz

转换速率 460 mV/μs

增益频宽积 0.525 MHz

输入补偿电压 224 µV

输入偏置电流 0.7 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 0.525 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 65 dB

电源电压 3V ~ 16V

电源电压Max 16 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

宽度 3.91 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

TLC27M2BIDR引脚图与封装图
TLC27M2BIDR引脚图
TLC27M2BIDR封装图
TLC27M2BIDR封装焊盘图
在线购买TLC27M2BIDR
型号: TLC27M2BIDR
制造商: TI 德州仪器
描述:?????????路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
替代型号TLC27M2BIDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TLC27M2BIDR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

TLC27M2BIDG4

德州仪器

完全替代

TLC27M2BIDR和TLC27M2BIDG4的区别

OPA2337UA

德州仪器

类似代替

TLC27M2BIDR和OPA2337UA的区别

TLV2262ID

德州仪器

类似代替

TLC27M2BIDR和TLV2262ID的区别

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