TRD136DT4

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TRD136DT4概述

TO-252 NPN 400V 3A

Bipolar BJT Transistor NPN 400V 3A 20W Surface Mount DPAK


得捷:
TRANS NPN 400V 3A DPAK


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT High Voltage NPN 700V VCES 400V VCEO


艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 3A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


TRD136DT4中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 10 @2A, 5V

额定功率Max 20 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TRD136DT4
型号: TRD136DT4
描述:TO-252 NPN 400V 3A
替代型号TRD136DT4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

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