TIP102TU

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TIP102TU概述

NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 100V 8A 2W Through Hole TO-220-3


得捷:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220-3


欧时:
### 复合 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
Darlington Transistors NPN Epitaxial Sil Darl


艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


安富利:
Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


富昌:
TIP系列 NPN 80 W 100 V 8 A 外延硅 达林顿晶体管 - TO-220-3


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 2W; TO220AB


Verical:
Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  TIP102TU  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, 1000 hFE


Win Source:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220


TIP102TU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 8.00 A

额定功率 2 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 80 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @3A, 4V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 80 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TIP102TU
型号: TIP102TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号TIP102TU
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